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国家存储器基地大事记

2006年4月

湖北省、武汉市、东湖高新区三级政府共同决策,决定举全省、全市、全区之力,组建武汉新芯集成电路制造有限公司,在国开行支持下,投资107亿元,建设中部地区第一条12英寸集成电路生产线。

武汉新芯主要生产代码型闪存和背照式影像传感器产品,达到业界较高水平。

2014年9月

武汉新芯抓住闪存由二维向三维转变的重大技术变革机遇,挺进通用存储器领域。在省市区三级政府大力支持下,率先启动三维闪存技术研发。

2016年2月

国务院批准国家存储器基地项目落户武汉·中国光谷。

2016年7月

在武汉新芯基础上,紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同出资组建长江存储公司,负责总投资1600亿元的国家存储器基地的研发、建设和运营。

2016年12月

国家存储器基地开工建设,总占地面积1968亩。

2017年9月

国家存储器基地一号芯片厂房提前封顶。

2017年10月

国内首颗自主研发32层三维闪存芯片问世,实现国内高端存储芯片“零”的突破,计划今年四季度开始量产;同时,开展64层三维闪存芯片研发,计划2019年实现量产

2018年4月

芯片生产机台开始安装调试。

2018年底

将在一号芯片生产厂房实现32层三维闪存芯片量产,2020年实现第一条10万片/月产线达产,2023年实现30万片/月产能,年产值1000亿元,预计可满足国内闪存需求量50%。

长江存储的目标:

用5-10年时间成为全球三维闪存主要供应商之一。

(长江日报)

责编:汉网

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