本报讯（记者崔梦欣通讯员董东霞）昨从东湖新技术开发区获悉，国家存储器基地项目正式在光谷开工。

该项目总投资240亿美元，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。这是湖北省建国以来最大的投资项目，也是中国目前最大的单体投资项目。项目主要生产存储器芯片，项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到每月30万片，年产值将超过100亿美元。

国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，总占地面积1968亩，将建设3座全球单座洁净面积最大的3DNANDFlashFAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑。其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。

集成电路是信息技术产业的核心，存储器最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺。据统计，存储芯片在整个芯片市场占比超过25%，未来将达到45%左右。据悉，国家存储器基地项目将以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体。项目建成后，以此为龙头将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，将为中国打破主流存储器领域空白，实现产业和经济跨越发展提供重要支撑。

实施存储器项目是国家为实现我国集成电路产业跨越式发展的重大战略布局，国家存储器基地项目在武汉光谷开工，标志着中国集成电路存储芯片产业规模化发展零的突破。