巴掌大的蓝色圆形硅片上，一层层“生长”着多种半导体材料，两千个毫米见方的芯片整齐分布其中。由电变光，芯片发出神秘的幽蓝光，投射到荧光粉上，顿时柔和的白光洒射开来。

正是这小小的硅衬底蓝色发光二极管的诞生，使中国成为世界上继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家、唯一实现硅衬底LED芯片量产的国家。

“中国芯”，令国人骄傲、世界震动。2015年度国家技术发明奖一等奖，花落“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”。

火把照亮了人类文明的萌芽，爱迪生的白炽灯促使电气时代降临，日光灯推动技术时代前行，第四代光源半导体发光二极管（简称LED）则是绿色照明时代的革新。

早在1962年LED就问世。正式作为照明光源，是日本1993年取得的突破，这项蓝宝石衬底LED技术获得2014年诺贝尔奖。1995年，美国成功研发碳化硅衬底LED技术，获得2003年美国总统技术发明奖。

当日美技术路线纷纷取得突破，一位30岁出头的年轻人也开始憧憬中国的蓝光梦。他，就是硅衬底LED技术的领衔教授、南昌大学副校长江风益。

1996年，在南昌大学一间40平方米的实验室里，江风益揣着60万元贷款，跟踪日本技术做中国的LED。4年后，他成功试制出蓝宝石衬底蓝、绿、紫光LED。这个蓝光梦，一做就是19年。

国内完全依赖进口LED芯片的历史改写，但江风益很快陷入了新的担忧。国内LED下游企业越来越多。可致命的是，技术专利都掌握在日美手中，行业随时可被扼喉。

江风益决心不做国外技术的影子，而是自主创新寻找“中国芯”的路径。2003年，江风益大胆选择硅衬底氮化镓技术路线。

人才不足，就多投入精力。5000多次实验，夜以继日。饿了，叫盒饭在实验室里吃；累了，在实验室的小床上打个盹。长期弯腰工作，江风益患上了严重的腰椎间盘突出椎管狭窄症，步行不到50米就得蹲下。

2003年12月的一个寒冬日，实验室内硅衬底蓝光LED发出了一丝微光。当其他人遗憾不够亮时，江风益大呼“很亮”！

2004年，硅衬底LED取得突破性进展，中国打破日美垄断，形成全球LED技术三足鼎立局面。目前其电光转换效率超过60%，获得授权专利147项，其中国际专利47项。

名副其实的“中国芯”诞生了！

躺在实验室里的“中国芯”没有生命，真正产业化才具国际竞争力。2006年，晶能（江西）光电有限公司应运而生，开始了硅衬底LED技术的产业化之路。3个月没日没夜地反复试验，一个个技术瓶颈被打开。

2009年，晶能光电在全球率先实现硅衬底小功率LED芯片量产；2012年，又实现硅衬底大功率LED芯片量产，这标志着硅衬底LED技术产业化的成熟，国际半导体照明联盟将其列为年度新闻事件。我国在硅衬底LED领域因此占据了技术和产业化两大高地。据新华社

硅衬底蓝光LED怎么改变我们生活

LED（发光二极管）

是一种冷光源

具有重大

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该项目成功推出

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制图夏洋